Nabíječka USB XTAR MC4S pro 3,6V/3,7V Li-ion 1.2V Ni-Mn

Tranzistory MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) hrajú kľúčovú úlohu v systémoch riadenia a ochrany lítiovo-iónových akumulátorov (BMS – Battery Management System). Slúžia ako bezkontaktné elektronické spínače, ktoré zaisťujú bezpečnú prevádzku, ochranu článkov a spínanie nabíjacích aj vybíjacích prúdov.

Konfigurácia so štyrmi MOSFETmi sa v BMS obvodoch používa najčastejšie tak, že sú tranzistory zapojené po dvojiciach paralelne na zvýšenie prúdovej zaťažiteľnosti a zníženie tepelných strát (2x nabíjací + 2x vybíjací MOSFET), prípadne pri obojstranne symetrických obvodoch.

Hlavné funkcie MOSFETov v obvodoch BMS

• Ochrana proti prebitiu (Overcharge Protection). Ak napätie na ktoromkoľvek článku prekročí bezpečnú hranicu (typicky 4,25 V), BMS rozopne nabíjací MOSFET (CHG), čím okamžite preruší nabíjací prúd.
• Ochrana proti podbitiu / hlbokému vybitiu (Over-discharge Protection). Pri poklese napätia článku pod kritickú hranicu (typicky 2,5 V až 2,8 V) rozopne vybíjací MOSFET (DSG), čím odpojí záťaž a zabráni trvalému poškodeniu alebo zničeniu akumulátora.
• Ochrana proti prúdovému preťaženiu a skratu (Overcurrent / Short Circuit). Vďaka vysokej rýchlosti spínania dokážu MOSFETy rozopnúť obvod v ráde mikrosekúnd pri detekcii skratu alebo nadprúdového odberu.
• Balansovanie článkov (Cell Balancing). Mnoho menších pomocných MOSFETov na doske BMS sa používa na vyrovnávanie napätia medzi jednotlivými sériovo zapojenými článkami (premostením cez vybíjacie rezistory), čo predlžuje celkovú životnosť batérie.

Pretože každý MOSFET obsahuje vnútornú parazitnú diódu (body diode), ktorá vedie prúd v jednom smere aj pri vypnutom stave, zapájajú sa tranzistory sériovo proti sebe (back-to-back)

• Nabíjací MOSFET (CHG).  Blokuje nabíjací prúd smerom do batérie, ale jeho vnútorná dióda stále umožňuje vybíjanie.
• Vybíjací MOSFET (DSG). Blokuje vybíjací prúd smerom do záťaže, ale jeho vnútorná dióda umožňuje prípadné nabíjanie.
• Použitie 4 MOSFETov. Paralelné zapojenie dvoch CHG a dvoch DSG tranzistorov delí vnútorný odpor v zopnutom stave na polovicu, vďaka čomu BMS zvládne dvojnásobný prúd bez nadmerného prehrievania.

Výhody použitia MOSFETov v BMS

• Nízky vnútorný odpor. Minimalizuje energetické straty a vyžarované teplo pri vysokých prúdoch.
• Extrémna rýchlosť spínania. Okamžitá reakcia na skrat alebo nadprúd v ráde mikrosekúnd.
• Vysoká spoľahlivosť a životnosť. Na rozdiel od mechanických relé nemajú žiadne pohyblivé kontakty, ktoré by sa mohli opotrebovať alebo opalovať.